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IPB019N08NF2SATMA1
N沟道 MOSFET,电流:166A,耐压:80V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB019N08NF2SATMA1
- 商品编号
- C3282307
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 166A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@194uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 186nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.7nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
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起订量：1 个1个/圆盘
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