2SK1274-T-AZ
N沟道MOSFET,电流:1.5A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1274-T-AZ
- 商品编号
- C3282320
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
TPIC2322L 是一款单片逻辑电平功率 DMOS 阵列，由三个电隔离的 N 沟道增强型 DMOS 晶体管组成，采用共源极和漏极开路配置。 TPIC2322L 采用标准的 8 引脚小外形表面贴装（D）封装，其工作温度范围为 -40°C 至 125°C。
商品特性
- 低导通电阻 rDS(on)：典型值 0.6 Ω
- 高电压输出：60 V
- 脉冲电流：每通道 2.25 A
- 快速换向速度
- 直接逻辑电平接口
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
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