2SJ293-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 670pF |
商品概述
这些功率MOSFET器件能够在雪崩和换向模式下承受高能量，且漏源二极管的反向恢复时间极短。Micro8器件专为功率效率至关重要的低压、高速开关应用而设计。规定了雪崩能量，可消除感性负载开关设计中的不确定性，并为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 微型Micro8表面贴装封装 – 节省电路板空间
- 极低的外形高度（<1.1mm），适用于PCMCIA卡等薄型应用
- 超低的导通电阻RDS(on)，可提高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动 – 可由逻辑IC驱动
- 二极管特性适用于桥式电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- 规定了高温下的漏源反向电流IDSS
- 规定了雪崩能量
- 提供Micro8封装的安装信息
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、手机和无绳电话）的电源管理
- 大容量存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制
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