2SJ293-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 670pF |
商品概述
这些功率MOSFET器件能够在雪崩和换向模式下承受高能量，且漏源二极管的反向恢复时间极短。Micro8器件专为功率效率至关重要的低压、高速开关应用而设计。规定了雪崩能量，可消除感性负载开关设计中的不确定性，并为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 低导通电阻
- 高速开关
- 低驱动电流
- 4 V栅极驱动器件可由5 V电源驱动
- 适用于开关稳压器、DC-DC转换器
- 雪崩额定值
应用领域
-高速功率开关
相似推荐
其他推荐