2SK1399-T1B-A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40Ω@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@1.0uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款先进的高压 TMOS E-FET 旨在承受雪崩模式下的高能量并实现高效开关。这款新型高能量器件还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。该器件专为高压、高速开关应用而设计，如电源、PWM 电机控制和其他感性负载。其雪崩能量能力经过精确规定，可消除感性负载开关设计中的不确定性，并为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
~~- 高温下规定雪崩能量能力-低栅极存储电荷,实现高效开关-内部源漏二极管设计用于替代外部齐纳瞬态抑制器,可在雪崩模式下吸收高能量-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
应用领域
- 电源-PWM 电机控制-其他感性负载-全桥或半桥 PWM 直流电机控制器
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