2SK3116(0)-Z-E1-AZ
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK3116(0)-Z-E1-AZ
- 商品编号
- C3282459
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
EZFET 是一系列先进的功率 MOSFET，内置单片背对背齐纳二极管。这些齐纳二极管可提供静电放电（ESD）和意外瞬态保护。这些微型表面贴装 MOSFET 具有超低导通电阻 RDS(on) 和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换向模式下承受高能量，且漏源二极管的反向恢复时间极短。EZFET 器件专为对功率效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 齐纳保护栅极提供静电放电保护
- 设计可承受 200 V 机器模型和 2000 V 人体模型静电放电
- 超低导通电阻 RDS(on) 可提高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动——可由逻辑 IC 驱动
- 微型 SO-8 表面贴装封装——节省电路板空间
- 二极管特性适用于桥式电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- 规定了高温下的 IDSS
- 提供 SO-8 封装的安装信息
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。