- 引脚图
- 焊盘图
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BLC10G18XS-552AVTZ
BLC10G18XS-552AVTZ
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- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- BLC10G18XS-552AVTZ
- 商品编号
- C3282418
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V；65V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ；37mΩ | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V；2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | 9V |
商品概述
适用于基站应用的550 W LDMOS封装非对称多尔蒂功率晶体管,工作频率范围为1805 MHz至1880 MHz。
商品特性
-出色的耐用性-高效率-低热阻,提供出色的热稳定性-较低的输出电容,可提升多尔蒂应用的性能-专为低记忆效应设计,具备出色的数字预失真能力-内部匹配,使用方便-集成ESD保护
应用领域
- 适用于1805 MHz至1880 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器