MMDFS3P303R2
P沟道 MOSFET,电流:3A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMDFS3P303R2
- 商品编号
- C3282428
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 带低正向压降(VF)、低反向电流(IR)肖特基整流器的功率MOSFET
- 降低元件贴装和库存成本,同时节省电路板空间
- 后缀R2表示卷带包装(每13英寸卷带2500个元件)
- 提供SO - 8封装的安装信息
- 规定了高温下的漏源反向电流(IDSS)
- 提供应用信息
- 标记:3P303
应用领域
-降压转换器-升降压转换器-同步整流-低压电机控制-电池组负载管理-充电器-手机-其他便携式产品