PMV45EN2215
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 209pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
- 沟槽 MOSFET 技术
- 增强的功率耗散能力,达 1115 mW
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
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