BSP295L6327
N沟道,电流:1.8A,耐压:60V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP295L6327
- 商品编号
- C3282351
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@400uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 368pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 118pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 集成保护二极管，静电耐受性强
- 低导通电阻，传导损耗低
应用领域
- 汽车及通用电源开关