MPIC2117P
单通道驱动器,电流:200mA/420mA,耐压:600V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MPIC2117P
- 商品编号
- C3282365
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 420mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MPIC2117是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术,实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧或低侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压范围为10至600 V。
商品特性
- 专为自举操作设计的浮动通道
- 最高可在+600 V下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压
- 抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10至20 V
- 欠压锁定
- 带下拉电阻的CMOS施密特触发输入
- 输出与输入同相
应用领域
- 高速电源开关