NXH010P120MNF1PNG
2个N沟道 耐压:1.2kV 电流:114A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NXH010P120MNF1PNG
- 商品编号
- C3282395
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 114A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V@40mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 454nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.707nF@800V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
应用领域
- 计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-防盗系统-安全设备-非专门用于生命支持的医疗设备