2SK3449
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
TPIC1502是一款单片功率DMOS阵列，由十个电隔离的N沟道增强型功率DMOS晶体管组成，其中四个配置为一个完整的H桥，六个配置为三个半H桥。完整H桥的下桥臂配备了一个集成检测场效应晶体管（Sense-FET），以便在AB类操作中对桥路进行偏置。 TPIC1502采用24引脚宽体表面贴装（DW）封装，其工作温度范围为-40°C至125°C。
商品特性
- 低导通电阻。
- 超高速开关。
- 4V驱动。