- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTD4809N-35H
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.456nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 315pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以减少传导损耗
- 低电容,以减少驱动损耗
- 优化栅极电荷,以减少开关损耗
- AEC Q101认证 - NVD4809N
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-CPU电源供应-DC-DC转换器-低端开关