NTMS4704NR2G
N沟道,电流:12.3A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMS4704NR2G
- 商品编号
- C3282370
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.225nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款指定 2.5V 的 N 沟道 MOSFET 采用了飞兆半导体先进的 PowerTrench 工艺，具备坚固耐用的栅极。它针对宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 6A、20V，栅源电压（VGS）为 4.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.018Ω
- 栅源电压（VGS）为 2.5V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.028Ω
- 扩展的栅源电压（VGSS）范围（±12V），适用于电池应用
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 薄型 TSSOP - 8 封装
应用领域
-负载开关-电机驱动-DC/DC 转换-电源管理