商品参数
参数完善中
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺设计，旨在优化特殊TSSOP - 8引脚框架上的漏源导通电阻（RDS(ON)），该框架所有漏极位于封装的一侧，在栅源电压（VGS） = 2.5 V时实现最佳性能。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 RDS(on) = 0.9 m Ω
- 在 VGS = 10 , \textV、ID = 80 , \textA 条件下,典型 Qg(\texttot) = 90 , \textnC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 符合 RoHS 标准
- 通过 AEC Q101 认证
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 集成式启动发电机
- 12V 系统主开关