商品参数
参数完善中
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺设计，旨在优化特殊TSSOP - 8引脚框架上的漏源导通电阻（RDS(ON)），该框架所有漏极位于封装的一侧，在栅源电压（VGS） = 2.5 V时实现最佳性能。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 2.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 40 mΩ
- 5.8 A、20 V，栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 30 mΩ
- 源极和漏极引脚相互隔离
- 静电放电（ESD）保护二极管
- 高性能沟槽技术，在栅源电压（VGS） = 2.5 V时实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
-锂离子电池组