MTB10N40ET4
MTB10N40ET4
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTB10N40ET4
- 商品编号
- C3282436
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品概述
D2PAK封装可容纳比任何现有表面贴装封装更大的芯片,使其可用于需要使用具有更高功率和更低RDS(导通)能力的表面贴装元件的应用。这款高压MOSFET采用先进的终端设计,在长期使用过程中性能不下降的同时,提供增强的耐压能力。此外,这款先进的TMOS E型场效应管设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新的节能设计还提供了一个具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计,特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥式电路,并且能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 坚固的高压终端设计
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定高温下的IDSS和VDS(导通)参数
- 散热片短接片为制造而成 — 非剪切而成
- 特殊设计的引线框架,实现最大功率耗散
- 提供24 mm、13英寸/800个的卷带包装,型号后缀加T4
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-桥式电路