MTB10N40ET4
MTB10N40ET4
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTB10N40ET4
- 商品编号
- C3282436
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品概述
TPIC5424L是一款单片逻辑电平功率DMOS阵列，由四个电气隔离的N沟道增强型DMOS晶体管组成，其中两个配置有公共源极。 TPIC5424L采用16引脚热增强型双列直插式（NE）封装和20引脚宽体表面贴装（DW）封装。TPIC5424L的工作温度范围为-40°C至125°C。
商品特性
- 坚固的高压终端设计
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定高温下的IDSS和VDS(导通)参数
- 散热片短接片为制造而成 — 非剪切而成
- 特殊设计的引线框架,实现最大功率耗散
- 提供24 mm、13英寸/800个的卷带包装,型号后缀加T4
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-桥式电路