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IPB016N08NF2SATMA1
N沟道,电流:170A,耐压:80V
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- 描述
- 特性：针对广泛的应用进行了优化。 N沟道，正常电平。 经过100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤素
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB016N08NF2SATMA1
- 商品编号
- C3282352
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@267uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 83pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.9nF |
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