MTP5N40E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 775pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
2SJ196是一款P沟道垂直型MOS FET开关器件，可由采用5V单电源供电的IC直接驱动。该器件具有低导通电阻的特点，属于电压驱动型，因此非常适合驱动电机、螺线管和继电器等执行器。
商品特性
-高温下规定雪崩能量能力-低栅极存储电荷,实现高效开关-内部源漏二极管设计用于替代外部齐纳瞬态抑制器,可在雪崩模式下吸收高能量-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
应用领域
-电源-PWM 电机控制-其他感性负载-全桥或半桥 PWM 直流电机控制器