IRF6621TRPBF
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品特性
- 无铅(可承受高达260°C回流焊)
- 专用MOSFET
- 适用于CPU核心DC - DC转换器
- 低传导损耗和开关损耗
- 薄型(<0.7mm)
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容
应用领域
-CPU核心DC-DC转换器