MGSF3455XT1
单通道P沟道增强型MOSFET,电流:1.45A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MGSF3455XT1
- 商品编号
- C3282310
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
SuperSOT™-8 P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺特别针对降低导通电阻而设计。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他电池供电电路，在这些应用中，超小外形的表面贴装封装需要快速高端开关和低在线功率损耗。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON) = 0.095欧姆，在栅源电压VGS = -2.7 V时
- -2.7 A, -20 V。漏源导通电阻RDS(ON) = 0.07欧姆，在栅源电压VGS = -4.5 V时
- 采用铜引脚框架的专有SuperSOT™-8封装设计，具备出色的热性能和电气性能。
- 高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力。
应用领域
-笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路