商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6Ω@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品特性
- 针对 5V 驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点电源）进行优化
- 适用于高频开关电源的低开关品质因数 (FOMsw)
- 经过 100% 雪崩测试
- 改善了开关性能
- N 沟道
- 在 VGS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)
- 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（品质因数）
- 符合 JEDEC 标准，适用于目标应用
- 卓越的热阻性能
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准为无卤产品