2SJ133-Z-E1-AZ
P沟道,电流:2.0A,耐压:-60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ133-Z-E1-AZ
- 商品编号
- C3282153
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
FDZ451PZ采用先进的1.5 V PowerTrench®工艺设计，并结合了先进的“细间距”薄型WLCSP封装工艺，最大程度地减少了PCB空间和导通电阻rDS(on)。这种先进的WLCSP MOSFET在封装技术上取得了突破，使该器件兼具出色的热传递特性、超薄外形（0.4 mm）、小尺寸（0.8 × 0.8 mm²）封装、低栅极电荷和低导通电阻rDS(on)等优点。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -2 A时，最大导通电阻rDS(on) = 140 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -1.5 A时，最大导通电阻rDS(on) = 182 mΩ
- 在VGS = -1.8 V、ID = -1 A时，最大导通电阻rDS(on) = 231 mΩ
- 在VGS = -1.5 V、ID = -1 A时，最大导通电阻rDS(on) = 315 mΩ
- 占用PCB面积为0.64 mm²，不到2 x 2 BGA面积的16%
- 超薄封装：安装到PCB上时高度小于0.4 mm
- 人体模型（HBM）静电放电保护等级 >2 kV
- 符合RoHS标准
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。