TBB1016RMTL-E

该器件专为锂离子电池组保护电路及其他超便携式应用设计，采用单封装解决方案。它集成了两个共漏极N沟道MOSFET，支持双向电流流动。借助仙童先进的PowerTrench工艺和先进的“小间距”WLCSP封装工艺，FDZ1323NZ可最大限度减少PCB占用空间和rS1S2(导通)电阻。这款先进的WLCSP MOSFET代表了封装技术的突破，使器件兼具出色的热传导特性、超薄封装、低栅极电荷和低rS1S2(导通)电阻。

• 小型贴片封装CMPAK - 6内置双BBFET;可降低零件使用成本和PCB板空间。
• 对降低调谐器总体成本非常有用。
• 适用于全球标准调谐器射频放大器。
• 高增益;在200 MHz时,PG = 32 dB
• 低噪声;在200 MHz时,NF = 1.0 dB
• 电源电压:5 V

• 电池管理-负载开关-电池保护