NP88N055MLE-S18-AY
N沟道,电流:44A,耐压:55V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP88N055MLE-S18-AY
- 商品编号
- C3282164
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 288W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 890pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.7nF |
商品概述
TPIC5621L是一款单片逻辑电平功率DMOS晶体管阵列，由六个N沟道增强型DMOS晶体管组成，其中三个配置有公共源极。 TPIC5621L采用宽体表面贴装（DW）封装，其工作温度范围为-40°C至125°C。
商品特性
- 低导通电阻rDS(on)：典型值0.4 Ω
- 高电压输出：60 V
- 脉冲电流：每通道3 A
- 快速换向速度