BSS84AK-B215
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）晶体管。
商品特性
- 低阈值电压
- 可直接与CMOS和晶体管-晶体管逻辑(TTL)接口
- 高速开关
- 无二次击穿
应用领域
-电话机线路电流断路器-继电器、高速和线路变压器驱动器