PMZB600UNE315
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 620mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.4pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1006B - 3（SOT883B）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 无引脚超小型SMD塑料封装:1.0 x 0.6 x 0.37 mm
- 静电放电(ESD)保护 >1 kV HBM
- 漏源导通电阻RDSon = 470 mΩ
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路