2SK1584(0)-T1-AZ
N沟道MOSFET,电流:0.3A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1584(0)-T1-AZ
- 商品编号
- C3282305
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
~~- 针对逻辑电平驱动进行优化-改善栅极、雪崩和动态 dv/dt 鲁棒性-全面表征电容和雪崩安全工作区 (SOA)-增强体二极管的 dv/dt 和 dI/dt 能力-无铅-符合 RoHS 标准、无卤
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高质量级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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