MTY25N60E
N沟道,电流:25A,耐压:600V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTY25N60E
- 商品编号
- C3282213
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过专门优化，可将导通电阻降至最低。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 坚固的高压终端设计
- 规定雪崩能量
- 二极管特性适用于桥式电路
- 规定高温下的IDSS和VDS(on)
应用领域
- 电源
- 转换器
- PWM电机控制
- 桥式电路