IRFIRL60B216
N沟道,电流:305A,耐压:60V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFIRL60B216
- 商品编号
- C3282248
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 305A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 172nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 880pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.26nF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端设计方案，在不随时间降低性能的前提下，增强了电压阻断能力。此外，这款先进的功率MOSFET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严格的桥式电路，并且能为意外的电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
-针对逻辑电平驱动进行优化-改善栅极、雪崩和动态 dv/dt 鲁棒性-全面表征电容和雪崩安全工作区 (SOA)-增强体二极管的 dv/dt 和 dI/dt 能力-无铅-符合 RoHS 标准、无卤
应用领域
-有刷电机驱动应用-无刷直流 (BLDC) 电机驱动应用-电池供电电路-半桥和全桥拓扑结构-同步整流器应用-谐振模式电源-或门和冗余电源开关-DC/DC 和 AC/DC 转换器-DC/AC 逆变器