PMPB100ENEA115
N通道MOSFET,电流:5.1A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB100ENEA115
- 商品编号
- C3282272
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 157pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
- 镀锡的100%可焊侧边焊盘,便于进行光学焊接检查
- 静电放电(ESD)保护 > 2 kV HBM
- 沟槽MOSFET技术
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路