商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品特性
- 小型SMD封装CMPAK - 6内置双极结型场效应晶体管（BBFET）；可降低元器件使用成本和印刷电路板（PC）空间。
- 适用于全球标准调谐器射频放大器。
- 对降低调谐器总体成本非常有用。
- 具备静电放电（ESD）耐受性；内置ESD吸收二极管。在C = 200pF、Rs = 0的条件下，可耐受高达200V的电压。
- 提供微型模塑封装；CMPAK - 6
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