我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
预售商品
PMCM6501VPE/S500Z实物图
  • PMCM6501VPE/S500Z商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMCM6501VPE/S500Z

PMCM6501VPE/S500Z

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMCM6501VPE/S500Z
商品编号
C3282178
包装方式
袋装
商品毛重
0.274克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)6.2A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)12.5W
阈值电压(Vgs(th))900mV@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)29.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.4nF
反向传输电容(Crss)400pF
工作温度-
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)430pF

商品概述

采用沟槽MOSFET技术、6凸点晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)的P沟道增强型场效应晶体管(FET)。

商品特性

  • 低阈值电压
  • 超小封装:0.98 x 1.48 x 0.35 mm
  • 沟槽MOSFET技术
  • 静电放电(ESD)保护 >2 kV HBM

应用领域

  • 电池开关-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路

数据手册PDF