2SJ495-S12-AZ
P沟道,电流:-15A,耐压:-60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ495-S12-AZ
- 商品编号
- C3282183
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.12nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
IPP60R065S7为低频开关应用提供了最佳的性价比。CoolMOS™ S7作为高压超结MOSFET，拥有极低的导通电阻（Rdson）值，显著提高了能源效率。CoolMOS™ S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化。它非常适合固态继电器和断路器设计，以及开关电源（SMPS）和逆变器拓扑中的线路整流。
商品特性
- CoolMOS™ S7技术可在最小的封装尺寸下实现65mΩ的导通电阻（RDS(on)）
- 在低频开关应用中具有优化的性价比
- 高脉冲电流能力
- TO220封装，采用全无铅芯片连接
应用领域
- 固态继电器和断路器
- 高功率/高性能应用中的线路整流，如计算机、电信、不间断电源（UPS）和太阳能