MAX5078BATT+
4A, 20ns, MOSFET驱动器
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- 商品型号
- MAX5078BATT+
- 商品编号
- C3282150
- 商品封装
- TDFN-6-EP(3x3)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.454W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
MAX5078A/MAX5078B高速MOSFET驱动器的源极和漏极可提供高达4A的峰值电流。这些器件在驱动5000pF容性负载时,具有20ns的快速传播延迟以及20ns的上升和下降时间。反相和同相输入之间的传播延迟时间被最小化并匹配。高源极/漏极峰值电流、低传播延迟和散热增强型封装,使MAX5078A/MAX5078B非常适合高频和高功率电路。 MAX5078A/MAX5078B采用4V至15V单电源供电,在不进行开关操作时,电源电流消耗为40μA(典型值)。这些器件具有内部逻辑电路,可防止输出状态变化时出现直通现象,从而在高开关频率下将工作电流降至最低。无论VDD电压如何,逻辑输入都能抵御高达+18V的电压尖峰。MAX5078A具有CMOS输入逻辑电平,而MAX5078B具有与TTL兼容的输入逻辑电平。 MAX5078A/MAX5078B具有反相和同相输入,可更灵活地控制MOSFET。它们采用6引脚TDFN(3mm x 3mm)封装,工作温度范围为-40°C至+125°C,适用于汽车应用。
商品特性
- 4V至15V单电源供电
- 4A峰值源极/漏极驱动电流
- 20ns(典型值)传播延迟
- 反相和同相输入之间的延迟匹配
- ↓ VDD/2 CMOS(MAX5078A)/TTL(MAX5078B)逻辑输入
- ↓ 0.1 x VDD(CMOS)和0.3V(TTL)逻辑输入迟滞
- ↓ 高达+18V的逻辑输入(无论VDD电压如何)
- ◇ 低输入电容:2.5pF(典型值)
- 40μA(典型值)静态电流
-
- 40°C至+125°C工作温度范围
- 6引脚TDFN封装
应用领域
-功率MOSFET开关-电机控制-开关模式电源-电源模块-DC-DC转换器