SPD30N03S2L-20G
SPD30N03S2L-20G
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPD30N03S2L-20G
- 商品编号
- C3282124
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 逻辑电平
- 低导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 卓越的热阻
- 工作温度达175°C
- 雪崩额定值
- dv/dt额定值
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
