SPD30N03S2L-20G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品特性
- P沟道
- 100%雪崩测试
- 正常电平
- 增强型
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求