温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

2SK3354-Z-E1

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 2SK3354-Z-E1
商品编号: C3282131
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

FDZ372NZ采用先进的1.5 V PowerTrench工艺和先进的“细间距”超薄晶圆级芯片尺寸封装（Thin WLCSP）工艺设计，可最大限度地减少PCB空间和导通电阻rDS(on)。这种先进的WLCSP MOSFET在封装技术上取得了突破，使该器件兼具出色的热传导特性、超薄封装、低栅极电荷和低导通电阻rDS(on)等优点。

商品特性

在VGS = 4.5 V、ID = 2 A时，最大导通电阻rDS(on) = 50 mΩ
在VGS = 2.5 V、ID = 2 A时，最大导通电阻rDS(on) = 60 mΩ
在VGS = 1.8 V、ID = 1 A时，最大导通电阻rDS(on) = 72 mΩ
在VGS = 1.5 V、ID = 1 A时，最大导通电阻rDS(on) = 93 mΩ
占用PCB面积仅1.0 mm²，不足2x2 BGA封装面积的30%
超薄封装：贴装到PCB上后高度低于0.4 mm
人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级 >3200 V
符合RoHS标准

应用领域

电池管理-负载开关-电池保护

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	83A
	导通电阻(RDS(on))	8mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	100W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@1mA
	栅极电荷量(Qg)	106nC@48V
	类型	N沟道