BSD214SNL6327
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.5A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSD214SNL6327
- 商品编号
- C3282133
- 商品封装
- SOT-363-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 143pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 超级逻辑电平(额定2.5V)
- 雪崩额定值
- 符合AEC Q101标准
- 100%无铅;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤