TPIC5621LDW
六通道N沟道DMOS阵列,电流:1A,耐压:60V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPIC5621LDW
- 商品编号
- C3282139
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.389W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品特性
- 低噪声特性；典型噪声系数 NF = 1.0 dB（f = 900 MHz 时）
- 高增益特性；典型功率增益 PG = 24 dB（f = 900 MHz 时）
- 支持低电压工作；电源电压 +B = 3.5 V
- 高耐压能力；漏源电压 VDS = 6 V