TPIC5621LDW
六通道N沟道DMOS阵列,电流:1A,耐压:60V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPIC5621LDW
- 商品编号
- C3282139
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.389W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品特性
- 低导通电阻rDS(on):典型值0.4 Ω
- 高电压输出:60 V
- 脉冲电流:每通道3 A
- 快速换向速度