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IPB040N08NF2SATMA1
N沟道,电流:107A,耐压:80V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB040N08NF2SATMA1
- 商品编号
- C3282126
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.742857克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 107A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@85uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDZ3N513ZT是一款单片NMOS/肖特基组合器件（FETky），其设计和布线可作为用于移动LED背光应用的不连续导通模式（DCM）升压LED功率级。
商品特性
- 单片NMOS和肖特基二极管
- 超小尺寸1mm x 1mm晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）
- VGS = 4.5 V、ID = 0.3 A时，最大rDS(on) = 462 mΩ
- VGS = 3.2 V、ID = 0.3 A时，最大rDS(on) = 520 mΩ
- 人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级 >2000V
- 符合RoHS标准
应用领域
- 单节锂离子电池LED背光的升压转换器功率级