IPF023N08NF2SATMA1
N沟道,电流:209A,耐压:80V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPF023N08NF2SATMA1
- 商品编号
- C3282125
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 209A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@139uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.2nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
应用领域
- 计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-防盗系统-安全设备-非专门用于生命支持的医疗设备