IPB136N08N3GATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:45A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB136N08N3GATMA1
- 商品编号
- C3282120
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 469pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 适用于高频开关
- 针对 DC/DC 转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
- N 沟道,正常电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 按照 JEDEC 标准针对目标应用进行鉴定
- 按照 IEC61249-2-21 标准无卤
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器