FDZ372NZ
N沟道,电流:4.7A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ372NZ
- 商品编号
- C3282065
- 商品封装
- WLCSP-4(1x1)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 93mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 685pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- 在VGS = 4.5 V、ID = 2 A时,最大导通电阻rDS(on) = 50 mΩ
- 在VGS = 2.5 V、ID = 2 A时,最大导通电阻rDS(on) = 60 mΩ
- 在VGS = 1.8 V、ID = 1 A时,最大导通电阻rDS(on) = 72 mΩ
- 在VGS = 1.5 V、ID = 1 A时,最大导通电阻rDS(on) = 93 mΩ
- 占用PCB面积仅1.0 mm2,不足2x2 BGA封装面积的30%
- 超薄封装:贴装到PCB上后高度低于0.4 mm
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 >3200 V
- 符合RoHS标准
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护