FDZ1827NZ
N沟道,电流:10A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ1827NZ
- 商品编号
- C3282066
- 商品封装
- WLCSP-6(1.3x2.3)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.055nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 380pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 405pF |
商品概述
该器件专为锂离子电池组保护电路及其他超便携式应用设计,采用单封装解决方案。它集成了两个共漏极N沟道MOSFET,支持双向电流流动。借助仙童先进的PowerTrench工艺和先进的“小间距”WLCSP封装工艺,FDZ1323NZ可最大限度减少PCB占用空间和rS1S2(导通)电阻。这款先进的WLCSP MOSFET代表了封装技术的突破,使器件兼具出色的热传导特性、超薄封装、低栅极电荷和低rS1S2(导通)电阻。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V、IS1S2 = 1 A时,最大rS1S2(导通)电阻 = 13 mΩ
- 在VGS = 3.8 V、IS1S2 = 1 A时,最大rS1S2(导通)电阻 = 13 mΩ
- 在VGS = 3.1 V、IS1S2 = 1 A时,最大rS1S2(导通)电阻 = 16 mΩ
- 在VGS = 2.5 V、IS1S2 = 1 A时,最大rS1S2(导通)电阻 = 18 mΩ
- 仅占用3 mm2的PCB面积
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于0.35 mm
- 高功率和电流处理能力
- 人体模型( HBM )静电放电保护等级 > 3.6 kV
- 符合RoHS标准
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护