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DMN3731UFB4-7B
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.9A
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- 描述
- 这款 MOSFET 旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3731UFB4-7B
- 商品编号
- C3282100
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 730mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 580mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 0.4mm超薄封装,适用于轻薄应用
- 封装尺寸为 0.6 mm^2,比SOT23小10倍
- 低 VGS(TH),可直接由电池驱动
- 低RDS(ON)
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-负载开关-便携式应用-电源管理功能