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EFC2K102ANUZTDG实物图
  • EFC2K102ANUZTDG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

EFC2K102ANUZTDG

2个N沟道 耐压:12V 电流:33A

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描述
这款功率 MOSFET 具有低导通电阻的特点。该器件适用于便携式设备的电源开关等应用。最适合单节锂离子电池应用
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
EFC2K102ANUZTDG
商品编号
C3282061
商品封装
WLCSP-10(2.98x1.49)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)33A
导通电阻(RDS(on))6.1mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)3.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.3V@1mA
栅极电荷量(Qg)42nC@3.8V
输入电容(Ciss)-
工作温度-40℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

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(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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