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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTLJS3180PZTBG

P-通道,电流:-7.7A,耐压:-20V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTLJS3180PZTBG
商品编号
C3282046
商品封装
WDFN-6(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7.7A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@1.5V
耗散功率(Pd)1.9W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.1nF
反向传输电容(Crss)130pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)180pF

商品概述

这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 采用2 x 2 mm WDFN封装,漏极焊盘外露,导热性能出色
  • 2 x 2 mm封装中具有最低的导通电阻(RDS(on))
  • 引脚布局与SC-88封装相同
  • 薄型设计(< 0.8 mm),易于应用于轻薄设备
  • 具备静电放电(ESD)保护
  • 无铅器件

应用领域

  • 优化用于便携式设备的电池和负载管理应用
  • 高端负载开关
  • 电池开关
  • 直流-直流(DC-DC)转换器

数据手册PDF