NTLJS3180PZTBG
P-通道,电流:-7.7A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLJS3180PZTBG
- 商品编号
- C3282046
- 商品封装
- WDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 薄型设计，最大高度0.6mm
- ESD人体模型（HBM）防护高达1.5kV，机器模型（MM）防护高达150V
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 针对负载点（POL）同步降压转换器进行优化，可将3.3V降压至1V，为ASIC提供核心电压
- 路由器
- 开关
- 网络接口控制器（NIC）
- 数字用户线路（DSL）
- 机顶盒（STB）