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NVTFWS007N08HLTAG
1个N沟道 耐压:80V 电流:14.4A 电流:71A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFWS007N08HLTAG
- 商品编号
- C3282056
- 商品封装
- WDFNW-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 71A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.88mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.81nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
μPA2562是双N沟道MOSFET，专为便携式设备的背光灯逆变器和电源管理应用而设计。双N沟道MOSFET封装在一个封装中，有助于设备小型化。
商品特性
- 小尺寸封装(3.3x3.3 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- NVTFWS007N08HL - 可焊侧翼选项,便于光学检测
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 背光灯逆变器-便携式设备的电源管理应用