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BSB028N06NN3GXUMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:90A
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- 描述
- 特性：针对DC/DC转换器优化的技术。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。 卓越的热阻。 双面冷却。 低寄生电感。 低外形（<0.7mm）。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 与DirectFET封装MN的尺寸和外形兼容
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSB028N06NN3GXUMA1
- 商品编号
- C3282059
- 商品封装
- WDSON-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.8nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体（onsemi）先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺经过特别设计，可在保持卓越开关性能的同时，最大程度降低导通电阻。
商品特性
- 针对 DC/DC 转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
- 卓越的热阻性能
- 双面散热
- 低寄生电感
- 超薄外形(<0.7mm)
- N 沟道,常电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 按照 JEDEC 标准针对目标应用进行认证
- 与 DirectFET 封装 MN 的焊盘尺寸和外形兼容
应用领域
- DC-DC转换-PSE开关