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BSB056N10NN3GXUMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:83A
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- 描述
- OptiMOS™ 100V 产品是业界领先的功率 MOSFET，适用于实现高功率密度和高能效解决方案。在小尺寸封装下具备超低栅极电荷和输出电荷，以及极低的导通电阻，使 OptiMOS™ 100V 成为太阳能、驱动器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案严苛要求的理想之选。超快开关控制 FET 搭配低 EMI 同步 FET，提供易于设计的解决方案
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSB056N10NN3GXUMA1
- 商品编号
- C3282058
- 商品封装
- WDSON-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 83A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品特性
- 针对高开关频率DC/DC转换器进行优化
- 出色的Qg × RDS(on)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 无铅电镀;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
- 双面散热
- 与DirectFET封装MN的焊盘尺寸和外形兼容
- 低寄生电感
- 薄型(<0.7 mm)
应用领域
-同步整流-初级侧开关-高性能计算的电源管理-高功率密度负载点转换器