NVTFS5824NLTAG
1个N沟道 耐压:60V 电流:37A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTFS5824NLTAG
- 商品编号
- C3282048
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
增强型MOSFET，专为音频、视频和高频应用中的高速、低干扰开关而设计。采用横向结构以实现低电容和超快速开关速度。没有栅极保护齐纳二极管，从而降低了栅极泄漏，并使栅极与衬底之间具备±电压能力。采用多晶硅栅极，确保制造可靠性。
商品特性
- 小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- NVTFS5824NLWF - 可焊侧翼产品
- 通过 AEC-Q101 认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
-快速模拟开关-快速采样保持电路-像素速率开关-DAC去毛刺电路-高速驱动器